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鋁合金鋁合金型材散熱器的空心/半空心原因解析


來源:m.ailangsha.cn

       經(jīng)常接觸鋁合金建筑型材散熱器的老手常會見到一些空心、半空心的,甚至是一些斷面曲率較大的實心的擠壓材,經(jīng)過硫酸陽極氧化生產(chǎn)工藝處理后,其表面局部會出現(xiàn)一種沿縱向連續(xù)分布的,具有一定寬度的顯示為粗糙不平(似梨皮狀)的,清晰可見的閃爍晶粒狀的表面缺陷—“閃爍花紋”(或稱“光亮花樣”)。其分布規(guī)律是:①沿擠壓方向,尾部比頭部更明顯可見,嚴重時,首尾都很明顯;②沿垂直于擠壓軸線的方向,“花紋”一般只出現(xiàn)在局部,尤其出現(xiàn)在型材曲率較大的部位,或是空心、半空心型材的焊縫區(qū)域,或是在型材的形成過程中6063鋁合金承受摩擦阻力最大的部位。

     氧化前處理工藝的影響

  某些擠壓材經(jīng)硫酸脫脂并水洗后,表面無異常變化,而當其在wZn2+≥4×10-6的堿蝕液中經(jīng)正常的浸蝕并隨后立即有效水洗后,就會看到“閃爍花紋”的存在。筆者對擠壓材的擠壓組織進行分析,結(jié)果表明:“閃爍花紋”對應的組織是晶粒度比正常部位的大得多的粗大等軸晶的再結(jié)晶組織——粗晶環(huán),且晶粒越粗大,“閃爍花紋”越明顯;這種現(xiàn)象也隨著浸蝕的進行而越來越明顯。

  通過資料可知:“閃爍花紋”的形成除了與合金成分(尤其是Zn)、擠壓材(RCS狀態(tài))的組織狀態(tài)有關外,還與堿蝕液中[Zn2+]有關。實驗證明:在合金中,當wZn≥0.033%,且型材表面存在粗晶環(huán)的前提下,只要堿蝕液中wZn2+≥4×10-6,就會產(chǎn)生“閃爍花紋”。

  產(chǎn)生“閃爍花紋”的根本原因是堿蝕液中Zn污染引起的選擇性晶間腐蝕[2]。晶間腐蝕的機理是電化學的,是晶界內(nèi)的局部原電池作用的結(jié)果。沿晶粒邊緣沉淀析出的第二相Mg2Si與貧乏的固溶體之間由于腐蝕電位的不同,在堿蝕電解質(zhì)溶液中,形成了原電池α-Al-Mg2Si。在實際生產(chǎn)中,一般都要求Si的含量過剩,則其晶間腐蝕敏感性增大,因為位于晶界及其附近區(qū)域的游離硅具有很強的陽極性[3]。

  研究結(jié)果表明:“閃爍晶粒”的晶界及其附近區(qū)域中的含Zn量相對偏高,即Zn參與了腐蝕過程。文獻[4]推測:Zn是以“溶解-再沉積”的方式促進晶界腐蝕的。堿洗時,固熔于α-Al中的Zn隨α-Al的溶解而溶解;當槽液中wZn2+≥4×10-6時,發(fā)生反應:Al+Zn2+→Zn+Al3+,單質(zhì)Zn有選擇地在陰極性區(qū)域沉積,進一步加劇了局部腐蝕。

  鑄錠質(zhì)量的影響

  我們知道;6063鋁合金的主要相組成為:游離Si(陽極相)和FeAl3(陽極相),當wFe≥wSi時,有α-(Al-Fe-Si)(陽極相);當wFe≤wSi時,有β-(Al-Fe-Si)(陰極相)。實際生產(chǎn)中,要求6063合金的成分應符合國際GB3190-82之規(guī)定,并且要求按wFe∶wSi=1.73∶1相對過剩的Si元素的過剩量不大于0.20%。而在6063鋁合金型材(RCS狀態(tài))的堿蝕處理過程中,當其他條件具備時,只要合金中wZn≥0.03%,就可能產(chǎn)生“閃爍花紋”缺陷;并且這種缺陷的清晰程度隨合金中Zn含量的增加而增大。特別應該指出的是:在相同條件下,產(chǎn)生“閃爍花紋”缺陷時,合金中Zn的含量對空心型材的影響要比它對實心型材的影響更明顯。

  擠壓-熱處理工藝因素的影響

  資料包括:低層錯能的金屬(如α-Al)在擠壓(ε=90%)時,只發(fā)生動態(tài)回復,而后會發(fā)生靜態(tài)回復和靜態(tài)再結(jié)晶。純鋁的再結(jié)晶溫度約為280℃,而6063鋁合金的再結(jié)晶溫度為320℃左右。我們知道:無論是“回復”還是“再結(jié)晶”都是原子在固相中的擴散遷移過程。這與原子擴散所需的化學勢有關,且需要在較高的溫度下才能順利進行。當溫度過低時,擴散不宜進行,使“回復”和“再結(jié)晶”過程受到抑制。

  由上述理論可知:在正常的工藝條件下生產(chǎn)RCS狀態(tài)的6063鋁合金擠壓型材,在經(jīng)擠壓-淬火處理后,其組織為:Mg、Si等元素的原子固溶于α-Al中而形成過飽和鋁基固溶體以及游離Si單質(zhì)等,晶粒細小且均勻分布,成為只發(fā)生了動態(tài)回復或靜態(tài)回復的加工組織。經(jīng)人工時效處理后,6063鋁合金型材的主要相組成為:α-Al,游離Si,主要強化相Mg2Si,等等。組織狀態(tài)為:細小的Mg2Si晶粒彌散均勻分布于α-Al基體中,而游離Si分布與晶界及其附近區(qū)域。而當生產(chǎn)條件控制不當(如淬火冷卻強度不足)時,就可能發(fā)生“靜態(tài)再結(jié)晶”及“再結(jié)晶晶粒長大”而形成粗晶環(huán)。

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